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44 Migliore Transistori Igbt nel 2023: dopo aver ricercato 33 opzioni

Cerchi la consulenza di un esperto per l’acquisto delle migliori Transistori Igbt? In tal caso, sei arrivato nel posto giusto, perché nella mia lista ho aggiunto 44 opzioni affidabili che dovresti prendere in considerazione quest’anno (2023).

La migliore Transistori Igbt varia per persone diverse. Ad esempio, se il denaro non è un problema, potresti preferire quello che ha funzionalità adatte a casi d’uso diversificati. Tuttavia, non tutti hanno il budget per l’opzione più costosa o ricca di funzionalità, ecco perché ho incluso anche le opzioni convenienti e convenienti.

In alcuni casi, anche il budget (rapporto qualità-prezzo) e le opzioni economiche devono avere grandi funzionalità, ma potrebbero essere di un marchio sconosciuto. In altri casi, le opzioni di budget o di valore inferiore potrebbero perdere alcune funzionalità delle opzioni migliori. Tuttavia, dovresti assicurarti che il prodotto che stai ricevendo soddisfi le tue esigenze.

Le 44 migliori Transistori Igbt nel 2023

Attendi qualche istante ed elenca tutte le funzionalità che stai cercando in una Transistori Igbt. Una volta che sei consapevole delle tue esigenze, continua a guardare l’elenco qui sotto. Inoltre, assicurati di acquistare quello che soddisfa i tuoi requisiti. Perché, ha senso spendere soldi per qualcosa che non farà il compito per cui l’hai comprato? Nessun diritto?

1. transistor di potenza IGBT 1200V 313W FGA25N120 -Transistori IGBT

By Gona
transistor di potenza IGBT 1200V 313W FGA25N120
  • e’ ora di resistere corto circuito: 10 s
  • Progettato per il controllo del motore, inverter, SMPS
  • collettore di corrente DC: 46V (a 25 gradi Celsius), 25V (100 gradi Celsius)
  • Potenza dissipata: 313W (a 25 gradi Celsius)
  • tensione collettore-emettitore: 1200V

2. Reland Sun 10 pz IGB10N60T TO263 G10T60 G10N60A G10N60 TO-263 10A 600V Transistor IGBT -Transistori IGBT

By Reland Sun
Reland Sun 10 pz IGB10N60T TO263 G10T60 G10N60A G10N60 TO-263 10A 600V Transistor IGBT
  • 10 pz IGB10N60T TO263 G10T60 G10N60A G10N60 TO-263 10A 600V Potenza transistor IGBT

3. NINETL BM120 Cuscinetto in Silicone Termico Rivestito in Fibra di Vetro per Dissipatore di Calore IGBT Mos Transistor -Transistori IGBT

By NINETL
NINETL BM120 Cuscinetto in Silicone Termico Rivestito in Fibra di Vetro per Dissipatore di Calore IGBT Mos Transistor
  • Tensione di rottura dielettrica: 4,5KV
  • Presenta buone caratteristiche di isolamento elettrico, elevata rigidità dielettrica, conduttività termica, proprietà chimiche ad alta resistenza
  • Conducibilità termica: 1,0 w / m.k
  • Durezza (shore A): 75 + / – 5
  • Può resistere al problema di corto circuito di alta tensione e perforazione di metalli ed è un eccellente materiale isolante termoconduttivo al posto del tradizionale grasso di mica e silicone.
  • può ridurre efficacemente la resistenza termica il componente elettronico e il radiatore

4. OPLLER IGBT – Transistor FGA25N120, 1200 V, 313 W -Transistori IGBT

By OPLLER
OPLLER IGBT - Transistor FGA25N120, 1200 V, 313 W
  • Tempo di resistenza al cortocircuito: 10 us
  • Tensione ‘emettitore del collettore: 1200 V
  • DC: 46 V (a 25 ℃), 25 V (a 100 ℃)
  • Progettato per controllo motore, inverter, alimentatori a commutazione
  • Perdita di potenza: 313 W (a 25 ℃)

5. FGH40N60SMD Transistor: IGBT 600V 40A 174W TO247-3 ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) -Transistori IGBT

By
FGH40N60SMD Transistor: IGBT 600V 40A 174W TO247-3 ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
  • Carico della porta: 180nC
  • Tensione porta – emettitore: ±20V
  • Corrente del collettore: 40A
  • Tensione collettore-emettitore: 600V
  • Potenza dissipata: 174W

6. UANG transistor di potenza IGBT 1200V 313W FGA25N120 -Transistori IGBT

By UANG
UANG transistor di potenza IGBT 1200V 313W FGA25N120
  • Potenza dissipata: 313W (a 25 gradi Celsius)
  • tensione collettore-emettitore: 1200V
  • Progettato per il controllo motore, inverter, SMPS
  • collettore di corrente : 46V (a 25 gradi Celsius), 25V (100 gradi Celsius)
  • e’ ora di resistere corto circuito: 10 s

7. YINGJUN Transistor a Effetto Campo 50pcs FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 600V 120A 378W a-247 Transistor IGBT -Transistori IGBT

By YINGJUN-DRESS
YINGJUN Transistor a Effetto Campo 50pcs FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 600V 120A 378W a-247 Transistor IGBT
  • Tipo di confezione: foro attraverso il foro
  • Tipo: transistor effetto campo
  • Numero di modello: FGH60N60SFD

8. HLY Trading Treode Transistor 5pcs FGH40N60 FGH40N60SMD a 247 600 V 40A IGBT -Transistori IGBT

By HLY-CASE
HLY Trading Treode Transistor 5pcs FGH40N60 FGH40N60SMD a 247 600 V 40A IGBT
  • Tipo: transistor del triodo
  • Numero di modello: FGH40N60SMD
  • Tipo di confezione: foro attraverso il foro

9. FGH20N60SFDTU Transistor IGBT 600V 20A 66W TO247-3 ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) -Transistori IGBT

By FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
FGH20N60SFDTU Transistor IGBT 600V 20A 66W TO247-3 ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
  • Corrente del collettore: 20A
  • Tensione collettore-emettitore: 600V
  • Carico della porta: 65nC
  • Tensione porta – emettitore: ±20V
  • Potenza dissipata: 66W

10. G10T60 Transistor G 10T60 TO252 IGBT -Transistori IGBT

By P.F.Elettronica
G10T60 Transistor G 10T60 TO252 IGBT
  • COMPONENTE ELETTRONICO
  • nuovo
  • componente smd

11. Chanzon 5 pezzi FGA25N120 TO-3P IGBT NPT Trench Transistor Modello Universale FGA25N120-ANTD 25N120 25A -Transistori IGBT

By CHANZON
Chanzon 5 pezzi FGA25N120 TO-3P IGBT NPT Trench Transistor Modello Universale FGA25N120-ANTD 25N120 25A
  • Sostituzione per: FGA25N120ANTD/25N120
  • Panoramica: TO3P IGBT TriodoAdAlta potenza FGA25N120, Corrente: 25A, Tensione: 1200V
  • Per: progetto fai da te elettronico
  • TriodoA giunzione bipolareA transistor originali per fga 25n120

12. B Baosity Transistore di Potenza IGBT FGA25N120 1200V 313W -Elettronica

By B Baosity
B Baosity Transistore di Potenza IGBT FGA25N120 1200V 313W
  • Cortocircuito resistente al tempo: 10 μs.
  • Questo transistor di potenza è progettato per i comandi del motore, inverter e SMPS.
  • Tensione collettore-trasmettitore: 1200 V.
  • Il transistor di potenza FGA25N120 utilizza una tecnologia TNP che offre una distribuzione molto serrata dei parametri, elevata robustezza, prestazioni stabili della temperatura e capacità di commutazione parallela
  • Corrente di collettore DC: 46 V (a 25 °C), 25 V (a 100 °C).
  • Progettato per i comandi del motore, invertitore, SMPS.

13. 6 pz Igbt Transistor To-247 HGTG20N60B3D G20N60B3D -Commercio, Industria e Scienza

By Nonbrand
6 pz Igbt Transistor To-247 HGTG20N60B3D G20N60B3D
  • Chips Gate, fondata nel 2010, è uno strumento professionale di acquisto B2B & B2C nel campo dei componenti elettronici.
  • Dacci una possibilità, sapresti che i chip gate sono la migliore fonte one-stop
  • Forniamo un servizio di pacchetti professionale per i clienti.
  • Ti risponderemo tra 24 ore e daremo una risposta saziata.
  • Se avete qualsiasi domanda o problema, non esitate a contattarci
  • Abbiamo più di 200.000 linee in magazzino e possono essere spedite in 1-3 giorni lavorativi.

14. sunwes Transistor di Potenza IGBT 1200V 313W FGA25N120 -Transistori IGBT

By sunwes
sunwes Transistor di Potenza IGBT 1200V 313W FGA25N120
  • e’ ora di resistere corto circuito: 10 s
  • Progettato per il controllo del motore, inverter, SMPS
  • collettore di corrente : 46V (a 25 gradi Celsius), 25V (100 gradi Celsius)
  • tensione collettore-emettitore: 1200V
  • Potenza dissipata: 313W (a 25 gradi Celsius)

15. HLY Trading Transistor a Effetto Campo 50pcs FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 600V 120A 378W a-247 Transistor IGBT -Transistori IGBT

By HLY-CASE
HLY Trading Transistor a Effetto Campo 50pcs FGH60N60SFD FGH60N60 IGBT 600V 120A 378W a-247 Transistor IGBT
  • Tipo: transistor effetto campo
  • Numero di modello: FGH60N60SFD
  • Tipo di confezione: foro attraverso il foro

16. IXYX50N170C Transistor IGBT XPT 1.7kV 50A 1.5kW PLUS247 IXYS -Transistori IGBT

By IXYS
IXYX50N170C Transistor IGBT XPT 1.7kV 50A 1.5kW PLUS247 IXYS
  • Tempo d’interruzione: 396ns
  • Genere di confezione: tubo
  • Proprieta degli elementi semiconduttori: alta tensione
  • Carico della porta: 260nC
  • Tempo d’avvio: 62ns

17. Neoteck 1.8 Pollici Tester Transistor LCR-TC1 Tester per Diodi Triodi Condensatore Resistore Transistore LCR ESR NPN PNP MOSFET con Display TFT Colorato Transistor Multifunzione TFT Spegnimento Auto -Commercio, Industria e Scienza

By Neoteck
Neoteck 1.8 Pollici Tester Transistor LCR-TC1 Tester per Diodi Triodi Condensatore Resistore Transistore LCR ESR NPN PNP MOSFET con Display TFT Colorato Transistor Multifunzione TFT Spegnimento Auto
  • IR Funzione Dopo Il Rilevamento, Puntare Il Telecomando a Infrarossi Verso la Luce “IR”, Poi Premere Il Pulsante sul Telecomando, Se Il Rilevatore Decodifica Correttamente, Visualizzerà Il Codice Dati e La Forma d’Onda a Infrarossi.
  • Facile da UsareFunzionamento Con un solo Tasto, Spegnimento Auto (è Possibile Impostare Il Timeout)
  • Funzione di Autotest con Calibrazione Automatica.
  • Il Pacchetto Include1 * Tester per Transistor TFT Multifunzionale, 1 * Set di Componenti Elettronici, 1 * Cavo, 3 * Gancio di Prova, 1 * Presa per Patch Test (è Necessario Saldarla da Soli Prima di Poterla Utilizzare).
  • UtilizzoPosizionare i Perni del Componente nell’Area Corrispondente, Poi Spostare la Piccola Maniglia, Il Rilevatore lo Testerà Automaticamente e Il Risultato Finale Verrà Visualizzato Chiaramente sullo LCD Schermo TFT Retroilluminato.
  • Ampia ApplicazioneTester Transistor Usato per Rilevare Transistor NPN e PNP, Condensatori, Resistori, Diodi, Triodi, MOSFET a Canale N e P, IGBT, JFET, Triac e Batterie, Resistori e Condensatori e Altri Componenti.
  • È Inoltre Possibile Spegnere Il Rilevatore Premendo Il Pulsante Multifunzione

18. Transistor, modulo IGBT, 650V, 130A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD100FFX65C5S -Categorie

By Generic
Transistor, modulo IGBT, 650V, 130A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD100FFX65C5S
  • Peso: 150 grammi
  • Moduli IGBT del raddrizzatore dell’ingresso trifase di PIM
  • Dimensioni confezione: 1
  • Tipo di prodotto: Transistor
  • TRANSISTOR, MODULO IGBT, 650V, 130A

19. Transistor, modulo IGBT, 650V, 130A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD100PIX65C6S -Categorie

By Generic
Transistor, modulo IGBT, 650V, 130A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD100PIX65C6S
  • Tipo di prodotto: Transistor
  • Dimensioni confezione: 1
  • Peso: 300 grammi
  • TRANSISTOR, MODULO IGBT, 650V, 130A
  • Moduli IGBT del raddrizzatore dell’ingresso trifase di PIM

20. Transistor, modulo IGBT, 650V, 103A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD75PIX65C6S -Categorie

By Generic
Transistor, modulo IGBT, 650V, 103A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD75PIX65C6S
  • Tipo di prodotto: Transistor
  • TRANSISTOR, MODULO IGBT, 650V, 103A
  • Peso: 10.001 grammi
  • Dimensioni confezione: 1
  • Moduli IGBT del raddrizzatore dell’ingresso trifase di PIM

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Transistor, modulo IGBT, 650V, 103A, moduli IGBT raddrizzatore di ingresso trifase PIM, Qty.1 | GD75FFX65C5S
  • Dimensioni confezione: 1
  • Moduli IGBT del raddrizzatore dell’ingresso trifase di PIM
  • Tipo di prodotto: Transistor
  • Peso: 300 grammi
  • TRANSISTOR, MODULO IGBT, 650V, 103A

22. Transistor, modulo IGBT, 650V, 72A, moduli IGBT trifase di raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD50FFX65C5S -Categorie

By Generic
Transistor, modulo IGBT, 650V, 72A, moduli IGBT trifase di raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD50FFX65C5S
  • Dimensioni confezione: 1
  • Moduli IGBT del raddrizzatore dell’ingresso trifase di PIM
  • Peso: 200 grammi
  • TRANSISTOR, MODULO IGBT, 650V, 72A
  • Tipo di prodotto: Transistor

23. Transistor, modulo IGBT, 1.2KV, 85A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD50PIY120C5SN -Categorie

By Generic
Transistor, modulo IGBT, 1.2KV, 85A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD50PIY120C5SN
  • Dimensioni confezione: 1
  • Tipo di prodotto: Transistor
  • TRANSISTOR, MODULO IGBT, 1.2KV, 85A
  • Moduli IGBT del raddrizzatore dell’ingresso trifase di PIM
  • Peso: 300 grammi

24. Transistor, modulo IGBT, 1.2KV, 117A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD75PIY120C6SN -Categorie

By Generic
Transistor, modulo IGBT, 1.2KV, 117A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD75PIY120C6SN
  • Moduli IGBT del raddrizzatore dell’ingresso trifase di PIM
  • Peso: 10.001 grammi
  • Dimensioni confezione: 1
  • Tipo di prodotto: Transistor
  • TRANSISTOR, MODULO IGBT, 1.2KV, 117A

25. Transistor, modulo IGBT, 1.2KV, 117A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD75FFY120C5S -Transistori IGBT

By Generic
Transistor, modulo IGBT, 1.2KV, 117A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD75FFY120C5S
  • TRANSISTOR, MODULO IGBT, 1.2KV, 117A
  • Moduli IGBT del raddrizzatore dell’ingresso trifase di PIM
  • Dimensioni confezione: 1
  • Peso: 300 grammi
  • Tipo di prodotto: Transistor

26. Transistor, modulo IGBT, 1.2KV, 117A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD75FFY120C6SF -Transistori IGBT

By Generic
Transistor, modulo IGBT, 1.2KV, 117A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD75FFY120C6SF
  • Tipo di prodotto: Transistor
  • TRANSISTOR, MODULO IGBT, 1.2KV, 117A
  • Dimensioni confezione: 1
  • Moduli IGBT del raddrizzatore dell’ingresso trifase di PIM
  • Peso: 825 grammi

27. Transistor, modulo IGBT, 1.2KV, 85A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD50FFY120C5S -Transistori IGBT

By Generic
Transistor, modulo IGBT, 1.2KV, 85A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD50FFY120C5S
  • Peso: 300 grammi
  • Dimensioni confezione: 1
  • Tipo di prodotto: Transistor
  • Moduli IGBT del raddrizzatore dell’ingresso trifase di PIM
  • TRANSISTOR, MODULO IGBT, 1.2KV, 85A

28. Transistor, modulo IGBT, 1.2KV, 230A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD150HHU120C6S -Transistori IGBT

By Generic
Transistor, modulo IGBT, 1.2KV, 230A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD150HHU120C6S
  • TRANSISTOR, MODULO IGBT, 1.2KV, 230A
  • Peso: 300 grammi
  • Tipo di prodotto: Transistor
  • Moduli IGBT del raddrizzatore dell’ingresso trifase di PIM
  • Dimensioni confezione: 1

29. Transistor, modulo IGBT, 1.2KV, 77A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD50HHU120C5S -Transistori IGBT

By Generic
Transistor, modulo IGBT, 1.2KV, 77A, moduli IGBT trifase del raddrizzatore di ingresso PIM, Qty.1 | GD50HHU120C5S
  • Moduli IGBT del raddrizzatore dell’ingresso trifase di PIM
  • Tipo di prodotto: Transistor
  • Dimensioni confezione: 1
  • Peso: 300 grammi
  • TRANSISTOR, MODULO IGBT, 1.2KV, 77A

30. Dellx BM120 Cuscinetto in Silicone Termico Rivestito in Fibra di Vetro per Dissipatore di Calore IGBT Mos Transistor -Transistori IGBT

By Dellx
Dellx BM120 Cuscinetto in Silicone Termico Rivestito in Fibra di Vetro per Dissipatore di Calore IGBT Mos Transistor
  • può ridurre efficacemente la resistenza termica il componente elettronico e il radiatore
  • Durezza (shore A): 75 + / – 5
  • Conducibilità termica: 1,0 w / m.k
  • Presenta buone caratteristiche di isolamento elettrico, elevata rigidità dielettrica, conduttività termica, proprietà chimiche ad alta resistenza
  • Può resistere al problema di corto circuito di alta tensione e perforazione di metalli ed è un eccellente materiale isolante termoconduttivo al posto tradizionale grasso di mica e silicone.
  • Tensione di rottura dielettrica: 4,5KV

31. 100Pcs TO-220 14x20x1mm Alumina Ceramica Isolante Foglio Alto Resistenza per Elettrico Isolamento MOS Transistor IGBT Raffreddamento Tampone con 3.2mm Buco -Transistori IGBT

By ViaGasaFamido
100Pcs TO-220 14x20x1mm Alumina Ceramica Isolante Foglio Alto Resistenza per Elettrico Isolamento MOS Transistor IGBT Raffreddamento Tampone con 3.2mm Buco
  • Foglio di ceramica di allumina: il foglio di ceramica di allumina è uno speciale foglio di ceramica costituito da AL, O, ZrO2 come materia prima principale, ossido di metallo raro come flusso e calcinato di oltre mille gradi.
  • Alta durezza: la durezza del cerotto è seconda solo alla durezza del diamante e la superficie è liscia e senza attrito.
  • Resistenza alle alte temperature e all’usura: i materiali in pasta ceramica sono superiori ad altri materiali metallici nei materiali ossidanti o corrosivi ad alta temperatura.
  • Adatto per: Adatto per apparecchiature ad alta potenza, tubo ICMOS, isolamento patch IGBT, comunicazione di alimentazione ad alta frequenza, apparecchiature meccaniche, alta corrente, alta tensione, alta temperatura, parti isolanti che richiedono conduzione di calore.
  • Alta conduttività e isolamento: conducibilità termica 28W / m.k, buona conduttività termica.15kv / mm prestazioni di isolamento, alta resistenza all’isolamento elettrico, più sicuro da usare.

32. IXBH6N170 Transistor IGBT BiMOSFET 1.7kV 6A 75W TO247-3 IXYS -Transistori IGBT

By IXYS
IXBH6N170 Transistor IGBT BiMOSFET 1.7kV 6A 75W TO247-3 IXYS
  • Genere di confezione: tubo
  • Proprieta degli elementi semiconduttori: alta tensione
  • Potenza dissipata: 75W
  • Carico della porta: 17nC
  • Tecnologia: BiMOSFET

33. IXBT2N250 Transistor IGBT BiMOSFET 2.5kV 2A 32W TO268 IXYS -Transistori IGBT

By IXYS
IXBT2N250 Transistor IGBT BiMOSFET 2.5kV 2A 32W TO268 IXYS
  • Potenza dissipata: 32W
  • Tensione porta – emettitore: ±20V
  • Corrente del collettore nel impulso: 13A
  • Tipo del transistor: IGBT
  • Carico della porta: 10.6nC

34. SKM200GB12T4 Modulo: IGBT transistor/transistor semi ponte IGBT Ic: 241A SEMIKRO -Transistori IGBT

By SEMIKRON
SKM200GB12T4 Modulo: IGBT transistor transistor semi ponte IGBT Ic: 241A SEMIKRO
  • Struttura del semiconduttore: transistor/transistor
  • Tensione porta – emettitore: ±20V
  • Tensione invertita max.: 1.2kV
  • Montaggio elettrico: avvitabile
  • Montaggio elettrico: FASTON connettori

36. IXA12IF1200PB Transistor IGBT Planar 1.2kV 13A 85W TO220-3 IXYS -Transistori IGBT

By IXYS SEMICONDUCTOR
IXA12IF1200PB Transistor IGBT Planar 1.2kV 13A 85W TO220-3 IXYS
  • Corrente del collettore nel impulso: 30A
  • Tecnologia: Planar
  • Carico della porta: 27nC
  • Tecnologia: XPT
  • Tecnologia: Sonic FRD

37. PSII15/12 Modulo: IGBT transistor/transistor ponte trifase IGBT Ic: 14A POWERSEM -Transistori IGBT

By POWERSEM
PSII15 12 Modulo: IGBT transistor transistor ponte trifase IGBT Ic: 14A POWERSEM
  • Potenza dissipata: 90W
  • Montaggio elettrico: THT
  • Montaggio: avvitabile
  • Corrente del collettore nel impulso: 20A
  • Tensione porta – emettitore: ±20V

38. IHW40N120R5XKSA1 Transistor: IGBT TRENCHSTOP RC 1,2kV 40A 197W TO247-3 INFINEON -Transistori IGBT

By INFINEON TECHNOLOGIES
IHW40N120R5XKSA1 Transistor: IGBT TRENCHSTOP RC 1,2kV 40A 197W TO247-3 INFINEON
  • Corrente del collettore nel impulso: 120A
  • Carico della porta: 310nC
  • Montaggio: THT
  • Genere di confezione: tubo
  • Tempo d’interruzione: 440ns

39. Bottam transistor di potenza IGBT 1200V 313W FGA25N120 -Transistori IGBT

By Bottam
Bottam transistor di potenza IGBT 1200V 313W FGA25N120
  • collettore di corrente : 46V (a 25 gradi Celsius), 25V (100 gradi Celsius)
  • e’ ora di resistere corto circuito: 10 s
  • tensione collettore-emettitore: 1200V
  • Progettato per il controllo motore, inverter, SMPS
  • Potenza dissipata: 313W (a 25 gradi Celsius)

40. fatteryu FGA25N120 Transistor IGBT NPT Trench TO3P 1200V 50A -Transistori IGBT

By fatteryu
fatteryu FGA25N120 Transistor IGBT NPT Trench TO3P 1200V 50A
  • Resistenza di contatto: 50 m
  • Colore: nero + bianco
  • Materiale: metallo + plastica
  • Valutazione di commutazione: 1200V 50A
  • 3 posizioni

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By CHANZON
Chanzon 10 pezzi RJP63K2 TO-263 IGBT NPT Trench Transistor 35A SMD
  • Panoramica: TO263 IGBT Fet RJP63K2, Corrente: 35A, Tensione: 630V
  • Triodo bipolareA giunzione originaleA transistorAd effetto di campo per rjp 63k2
  • Per: progetto fai da te elettronico

42. 100PCS TO-220 Foglio di ceramica isolante a dissipazione di calore di allumina 14 * 20 * 1mm Transistor MOS IGBT pad di dissipazione del calore pad di raffreddamento foro da 3,2 mm -Commercio, Industria e Scienza

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100PCS TO-220 Foglio di ceramica isolante a dissipazione di calore di allumina 14 * 20 * 1mm Transistor MOS IGBT pad di dissipazione del calore pad di raffreddamento foro da 3,2 mm
  • Dell’impresa.
  • Comunemente utilizzato nell’estrazione del carbone, nel sistema di trasporto, nel sistema di macinazione, nel sistema di rimozione della polvere, ecc
  • Il foglio di ceramica di allumina è uno speciale foglio di ceramica composto da AL, O, ZrO2 come materiali principali, ossidi di metalli rari come flusso e calcinato a oltre mille gradi.
  • Prestazioni di isolamento 15kv/mm, elevata resistenza di isolamento elettrico, più sicuro da usare.
  • I materiali in pasta ceramica sono superiori ad altri materiali metallici in mezzi ossidanti ad alta temperatura o acido-base
  • È adatto per apparecchiature ad alta potenza, tubo ICMOS, isolamento patch IGBT, comunicazione di potenza ad alta frequenza, apparecchiature meccaniche, grandi correnti, alta tensione, alta temperatura e parti isolanti che richiedono conduzione di calore
  • La durezza della toppa in ceramica è seconda solo alla durezza del diamante e la superficie è liscia e senza attrito.
  • Materiale in allumina, elevata durezza, alto punto di fusione e resistenza all’usura
  • Conducibilità termica 28W/m.k, buona conduttività termica

43. IGW50N60T Transistor: IGBT 600V 64A 333W TO247-3 INFINEON TECHNOLOGIES -Transistori IGBT

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IGW50N60T Transistor: IGBT 600V 64A 333W TO247-3 INFINEON TECHNOLOGIES
  • Montaggio: THT
  • Corpo: TO247-3
  • Tensione porta – emettitore: ±20V
  • Corrente del collettore nel impulso: 150A
  • Genere di confezione: tubo

44. ZAYRAY transistor di potenza IGBT 1200V 313W FGA25N120 -Transistori IGBT

By ZAYRAY
ZAYRAY transistor di potenza IGBT 1200V 313W FGA25N120
  • e’ ora di resistere corto circuito: 10 s
  • collettore di corrente DC: 46V (a 25 gradi Celsius), 25V (100 gradi Celsius)
  • Potenza dissipata: 313W (a 25 gradi Celsius)
  • tensione collettore-emettitore: 1200V
  • Progettato per il controllo del motore, inverter, SMPS

Transistori Igbt – La guida per l’acquirente

Sebbene la sezione precedente possa averti aiutato a trovare la Transistori Igbt giusta per le tue esigenze, se sei ancora confuso, continua a leggere questo. Abbiamo discusso di vari fattori che dovresti considerare quando ne ottieni uno.

1. I tuoi requisiti e le funzionalità

Assicurati che la Transistori Igbt che stai ricevendo abbia tutte le funzionalità che stai cercando. Perché, credo che non abbia senso acquistarlo, se non può fare il compito principale per cui lo stai acquistando?

  • La maggior parte ricchi di funzionalità:
  • Caratteristiche medio (ma di alta Value for Money):
  • a buon mercato ancora ricchi di funzionalità:

2. Prezzi vs bilancio

sarebbe non tutti comprare il più costoso o il migliore Transistori Igbt se non fosse per il budget? Sebbene l’opzione migliore abbia molte funzionalità extra, credo personalmente che non dovresti spendere troppo sul prodotto per le funzionalità che non utilizzerai.

Tuttavia, molti di noi hanno budget limitati e in alcuni casi potresti finire per sacrificare una funzionalità importante. In tal caso, non sacrificare. Perché se non è in grado di svolgere / svolgere l’attività principale per cui lo stai acquistando, ha senso prenderlo?

3. Marca

Sebbene, la marca Transistori Igbt costa un po ‘di più rispetto alle opzioni senza marchio. Ma consiglio ai miei lettori (incluso te) di prendere in considerazione l’idea di ottenere quello di un marchio famoso. Non solo offrono un ottimo servizio clienti, build di alta qualità e supporto globale, ma sono anche facili da rivendere e ottenere un prezzo migliore nonostante siano vecchi.

4. Dai un’occhiata alle migliori liste

Uno dei modi migliori per trovare una buona qualità Transistori Igbt è sfogliando o controllando le migliori liste come questa. Gli autori / ricercatori fanno enormi ricerche e si assicurano di ottenere il prodotto di migliore qualità con funzionalità adatte a compiti diversificati. Anche se, in alcuni casi, gli elenchi non saranno fantastici, in quel caso, basta dare un’occhiata ad altri elenchi.

5. Cerca offerte

Puoi utilizzare la funzione di ricerca offerte sul nostro sito Web o cercare siti Web di offerte popolari. In alcuni casi, puoi risparmiare fino al 5-15%. Tuttavia, in questo caso, ho già elencato le opzioni con collegamenti alle migliori offerte disponibili. Inoltre, assicurati di ottenere da un venditore autorizzato (c’è un enorme aumento delle frodi online).

6. Recensioni degli utenti

Una delle cose migliori dell’acquisto di una Transistori Igbt online è che ci sono molte piattaforme di eCommerce che hanno “recensioni dei clienti” in cui una persona che ha acquistato il prodotto lo recensisce e condivide la sua esperienza con esso . Puoi anche cercare una funzione specifica in quelle sezioni e troverai sicuramente molte risposte.

7. Revisioni dei

singoli prodotti Le revisioni dei singoli prodotti sono scritte da blogger, revisori indipendenti, ricercatori, pubblicazioni sui media, ecc. Dove riesaminano e testano il prodotto per settimane e pubblicano una recensione approfondita su quel singolo prodotto. Puoi semplicemente effettuare una ricerca su Google e troverai infinite recensioni individuali Transistori Igbt.

I migliori marchi che rendono Transistori Igbt

Come menzionato sopra, l’acquisto di una Transistori Igbt con marchio può salvarti dai problemi in futuro con un’assistenza clienti di alta qualità e potrebbe anche ottenere un valore di rivendita migliore. Secondo me, ecco i marchi più votati da considerare:

  • Gona
  • Reland Sun
  • NINETL
  • OPLLER
  • UANG
  • YINGJUN-DRESS
  • HLY-CASE
  • FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
  • P.F.Elettronica

Domande frequenti

1. Qual è la migliore Transistori Igbt?

Secondo la mia ricerca, transistor di potenza IGBT 1200V 313W FGA25N120 è una delle migliori opzioni. È abbastanza popolare tra le persone che cercano un’opzione affidabile.

2. Reland Sun 10 pz IGB10N60T TO263 G10T60 G10N60A G10N60 TO-263 10A 600V Transistor IGBT è buono come transistor di potenza IGBT 1200V 313W FGA25N120?

Come detto nel post, la migliore Transistori Igbt varia da persona a persona. Se stai cercando qualcosa che sia ricco di funzionalità e molto apprezzato, prendi in considerazione l’idea di transistor di potenza IGBT 1200V 313W FGA25N120

3. Ci sono marchi affidabili da considerare quando acquisti una Transistori Igbt?

Secondo me, ci sono alcuni marchi famosi che hanno una grande presenza online e offrono il massimo servizio clienti. Sono: Gona, Reland Sun.

4. Qual è il prezzo medio che un acquirente spende quando acquista una Transistori Igbt?

Secondo una ricerca che ho fatto, i potenziali clienti spendono circa 63 Tuttavia, ciò si basa sulle vendite sia di opzioni di alto valore che di opzioni di basso valore.

5. Qual è la Transistori Igbt più costosa in questo elenco?

SKM200GB12T4 Modulo: IGBT transistor/transistor semi ponte IGBT Ic: 241A SEMIKRO è l’opzione più costosa da considerare. È a causa del valore del marchio, della raffinatezza e del servizio clienti altamente reattivo.

6. Qual è la Transistori Igbt più economica e devo acquistarla?

Bene, non c’è problema nell’acquistare la Transistori Igbt più economica. Tuttavia, assicurati che abbia tutte le caratteristiche / specifiche necessarie. Perché come ho detto, non ha senso spendere soldi per un prodotto che non farà il lavoro per cui lo hai acquistato. Ha senso?

7. Devo acquistare la Transistori Igbt più costosa?

L’acquisto della Transistori Igbt più costosa non garantisce che sia la cosa migliore per te. Prima di acquistare, assicurati che abbia tutte le funzionalità essenziali di cui hai bisogno. In alcuni casi, anche l’opzione più costosa perde le funzionalità che desideri di più.

8. Gona è meglio di Reland Sun?

Ad essere onesti, entrambi i marchi hanno i loro vantaggi e svantaggi, prima di acquistare da uno di essi, assicurati di fare le tue ricerche al riguardo. Assicurati che abbiano centri di assistenza vicino a casa tua.

Il verdetto

che ho speso 33 alla ricerca della Transistori Igbt. Sarò onesto, non ho testato tutti i prodotti che ho elencato, ma ho fatto ore di ricerche, ho verificato le recensioni dei clienti verificate e vari post del forum per creare questo elenco.

Ho anche aggiunto una breve guida per l’acquirente ed elencato le migliori marche che fanno Transistori Igbt che dovrebbe aiutarti a prendere una decisione di acquisto informata. C’è anche una sezione FAQ che contiene le risposte alle domande più comuni.

Spero che il mio post ti aiuti a trovare la Transistori Igbt giusta per le tue esigenze. Inoltre, potrebbe esserci la possibilità che arrivi un nuovo prodotto dopo la pubblicazione di questo post. In questi casi, proverò ad aggiornare regolarmente l’articolo con nuovi prodotti.

Anche se, ho cercato di spiegare tutto ciò che potevo, nel caso in cui mi fossi perso qualcosa o non fossi in grado di trovare la Transistori Igbt giusta per le tue esigenze o avessi bisogno di consigli di acquisto. Non esitate a contattarmi o commentare qui.